1、單匝感應器相對多匝感應器，能量更集中，通過控制電源的輸出功率，以及感應器內徑的大小即可控制淬硬層的深淺。
2、當在相同感應器內徑，相同電源功率的情況下，由于加熱的能量更集中，單匝感應器的掃描速度要比多匝感應器的速度快，與此同時所產生的結果是淬硬層相對較淺。
3、如果要在一定范圍內要達到多匝感應器的淬火深度，可以通過提高淬火的加熱溫度，適當延長冷卻淬火的間隔時間予以實現，也可以通過加大感應器的內徑，提高電源的加熱功率等方法實現。
1、雙匝的感應器能量分布相對單匝感應器要分散，加熱面積簡單的可理解為其倍數，如果要達到相同的加熱溫度，多匝感應器需要更多的能量。
2、掃描淬火時，在淬火速度相同淬火溫度相同的情況下，單位長度的加熱時間可簡單的理解為單匝感應器的N倍，由于第一匝感應器的預熱，在熱傳導的作用下，達到第二匝感應器加熱提溫時，第一匝加熱的能量已經向工件心部傳導了一個單位的時間（不考慮兩匝之間的間隙），在第二匝感應器加熱的同時，工件表面聚集的熱量又向心部傳導了一個單位的時間。所以相同工件在同樣掃描速度下，雙匝的感應器淬硬層要深，但此時電源的功率相對也較大。
3、如果需要達到和單匝感應器同樣淺的淬硬層，對雙匝感應器來說就比較難了。
簡單理解認為，無論是單匝還是雙匝感應器，在淬火時都要遵循能量守恒規律。當然在感應淬火時有很多復雜的因素，比如電流透入深度在不同的溫度會有差異，金屬的導磁性在不同溫度下也不相同等等。
