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LED日光燈電源發熱到一定程度會導致燒壞，關于這個問題，也見到過有人在行業論壇發過貼討論過。本文將從芯片發熱、功率管發熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方面討論LED日光燈電源發熱燒壞MOS管技術。芯片發熱本次內容主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的電流來自于驅動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。
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與其他靈敏的SMU相比，4201-SMU和4211-SMU的電容指標已經提高，這些SMU模塊用于可配置的Model4200A-SCS參數分析儀，使用Clarius+軟件進行交互控制。本文探討了4201-SMU和4211-SMU可以進行穩定的弱電流測量的多種應用實例，包括測試：平板顯示器上的OLED像素器件、長電纜MOSFET傳遞特點、通過開關矩陣連接的FET、卡盤上的納米FETI-V測量、電容器泄漏測量。
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單模光纖底板DC-SDRX01是否為CC-SDRX01
控制器卡件CC-PCNT02是否為CC-PCNT01
控制器底板DC-TCNT01是否為CC-TCNT01
防火墻卡件CC-PCF901
防火墻底板DC-TCF902
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