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    1. 5136-SD-VME-S 適配卡 價格好
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      產品價格:¥3900(人民幣)
    2. 規格:5136-SD-VME-S
    3. 發貨地:本地至全國
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      商品詳情
        產品名稱:5136-SD-VME-S
        產品型號:5136-SD-VME-S
        產品參數:5136-SD-VME-S

        產品功能:5136-SD-VME-S


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        跟著便攜電腦的尺度越來越小,分量越來越輕,從前作為電腦的“小尾巴”的電源適配器現在好像要叫“大尾巴”了!電源適配器怎么完成小型化,來配得上越做越小的便攜電腦則成為一項有必要考慮的問題。

        從功率器材開展來看,從NPN型功率器材開展到MOS管功率器材只用了大約10年的時刻,功率器材的尺度縮小了5倍;而在運用硅MOS管的30年期間,器材的尺度并沒有提高許多,功率雖然有10%的提高,可是器材尺度縮小還不到10%;直到包括GaN在內的新資料呈現后,不到3年的時刻,功率器材的功率及尺度的提高又持續加速。在未來的十年,估計將在2025年再次提高3~5倍,別的,功率也會到達95%~99%。由此看來,新資料的開展會是功率器材開展的重要促進要素之一。

        圖1 功率器材的開展

        作為世界上第一家也是僅有的氮化鎵(GaN)功率IC公司,納微(Navitas)也正是看到了這一開展規律,最早選用新式GaN功率芯片——AllGaNTM。新式功率芯片為功率器材帶來了速度和功率兩方面的提高。

        因為硅資料的結構特性所限,一向無法一同滿足速度和功率作為功率器材的兩大規劃參閱目標。AllGaNTM經過裝備新式拓撲——有源鉗位反激 (ACF) 拓撲結構和新資料,并將驅動和GaN集成到一同,然后完成開關速度和功率兩者的一起提高。新功率器材能夠供給高達400MHz的開關速度,其速度比典型的轉換器規劃快了3至4倍,損耗下降40%,密度提高達5倍,體系本錢也會下降20%,然后完成更小的尺度和更低的本錢。該規劃徹底符合歐盟CoC Tier 2及美國能源部6級 (DoE VI) 所規范的能效規范,更在滿負載下完成超越94%的最高尖峰功率。

        圖2 AllGaNTM功率IC器材結構

        單芯片GaN功率IC與半橋GaN功率IC

        納微在推出AllGaNTM平臺后,針對新式資料GaN先后推出了兩類功率IC,即單芯片GaN功率IC和半橋芯片GaN功率IC。

        納微單芯片GaN功率IC是一款在650V下的單片式集成產品。該款產品選用5mm x 6mm QFN規范封裝?紤]到本錢問題,納微單芯片GaN功率IC整個系列只用了這樣一個封裝方式。驅動選用內置驅動,高壓信號輸入時,即可實輕松現功率轉換。納微一起創始人兼首席執行官Gene Sheridan介紹稱,經過這樣的驅動器整合,以軟開關為例將單芯片GaN功率IC與硅器材比照的話,硅器材電壓上升速度很快,會有暗影。而選用單芯片GaN功率IC器材,開關速度到1M時,開關電壓為500V,由此可見,選用單芯片GaN功率IC器材徹底沒有開關損耗, EMI性能也很好。


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