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 碳化硅為未來發展方向 

    在材料技術方面則采用碳化硅（SiC）。它有四大優點：集成化更高、功耗更低、高頻下的性能更佳以及更加耐熱。以三菱電機的SiC-MOSFET來說，面積只有9×9mm，開通電阻為4mΩ/cm2。耐壓達到1300V。

    除了全碳化硅器件，目前也在開發混合碳化硅器件。其中IGBT仍然使用硅材料而續流二極管采用了碳化硅材料。

    三菱電機機電（上海）有限公司副總經理谷口豐聰先生稱：將來混合碳化硅模塊將在需要回收能量的應用領域得到廣泛應用，例如電梯和電力機車。

    在2010年，三菱電機已率先開發了空調用碳化硅產品，并且已經在高端空調產品中使用。同時在今年，采用碳化硅材料技術的HVIGBT模塊也已在日本軌道交通的輔助電源設備上開始使用。

    谷口先生還稱，目前三菱電機和中國國內的四大高校有聯合實驗室。三菱電機將無償地提供碳化硅功率模塊，并和大學進行聯合應用開發，從而在中國普及碳化硅產品的應用。

    對于外界談論的碳化硅產品成本高的問題。Majumdar博士稱：目前由于碳化硅原材料比較貴，制造的工藝比較復雜，從而導致了高價。然而隨著其應用的普及，需求的增加以及制造商對生產工藝的優化，未來碳化硅器件高成本的問題將得以解決。當然不同產品的市場商業化的進程可能有所不同。例如針對汽車用的器件至少需要三年的時間，然而對于一般的消費類產品來說，可能只需要一年左右。

    但是無論時間的長短，毫無疑問碳化硅器件必將是未來的發展方向，因為其功耗小、效率高、集成度強的特點正是電力電子行業發展的推動器。

    專攻四大領域 

    三菱電機從開發到生產功率模塊已有40多年歷史，錢先生稱，主要集中在四大終端市場推廣：傳統工業、白色家電、大功率應用及新能源領域。三菱電機在四個領域的比例為：傳統工業占40%，白色家電占30%，大功率應用包括高鐵占20%左右，新能源風電及太陽能占10%左右。

    針對傳統的工業領域，三菱電機推出的產品主要有三類，包括全球領先的DIPIPMTM產品，主要用于小功率的馬達驅動和運動控制領域；第二類的IGBT模塊，以其標準和兼容的封裝主要被廣泛應用于通用變頻器行業；第三類，IPM，以其高智能化的特點，被廣泛應用于伺服、數控機床、機器人等高精尖領域。

    針對白色家電領域，除了DIPIPMTM之外，今年又推出了MOS-DIPIPM，主要針對變頻冰箱和小容量的變頻洗衣機，希望這款新產品能有良好的未來。

    在大功率牽引和電力傳輸方面，三菱電機的主推產品是符合IRIS標準的HVIGBT，作為一款高可靠性和高性能的產品，已經被市場得到了認可。

    在新能源領域，針對太陽能發電場和風力發電場，三菱電機著重向市場推薦其高性價比的兆瓦級功率模塊，即New-MPD。同時還準備了New-MPDStacK的平臺，方便客戶設計和使用，以便更快地導入生產。

    另外針對100kW以下的光伏應用，三菱電機基于市場對轉換高效率的要求，推出了三電平模塊供客戶選擇和使用。

    在電動汽車領域，三菱電機也推出了汽車專用模塊，包括T-PMIGBT和J系列IPM，并提供使用IGBT模塊所需要的驅動板和薄膜電容板的技術支持，方便客戶快速使用。
 
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